QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Monolithic integration of sampled grating DBR with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth MOCVD and quantum-well intermixing 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672 Liu, HB; Zhao, LJ; Pan, JQ; Zhu, HL; Zhou, F; Wang, BJ; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/08 TUNING RANGE  LASERS  TRANSMITTER  PERFORMANCE  MOVPE   Organic light-emitting diodes with magnesium doped CuPc as an efficient electron injection layer 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 719-721 Cao JS; Guan M; Cao GH; Zeng YP; Li JM; Qin DS 收藏  |  浏览/下载：91/4  |  提交时间：2010/03/08 DEVICES   Effects of coupling lens on optical refrigeration of semiconductors 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1878-1880 Ding, K; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 THULIUM-DOPED GLASS  UP-CONVERSION  LASER   Fabrication of triplexers based on flattop SOI AWG 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1717-1719 An JM; Wu YD; Li J; Li JG; Wang HJ; Li JY; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：57/10  |  提交时间：2010/03/08 Sixfold symmetry of excitonic transition energies in c-plane for wurtzite GaN 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: art. no. 151111 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES   Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   Spin states in semiconductor quantum dot with a single magnetic ion 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 10, 页码: 3097-3106 Li XJ; Yang W; Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 quantum dot   Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483 Lin GJ; Lai HK; Li C; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/08 Si/SiGe   Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition