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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced mid-infrared transmission in heavily doped n-type semiconductor film based on surface plasmons 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 11, 页码: 7210-7215 Hua, L; Song, GF; Guo, BS; Wang, WM; Zhang, Y 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 surface plasmon  doped semiconductor  enhanced transmission  doping tuned   A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：153/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D   First-principles study of the electronic structures and magnetic properties of 3d transition metal-doped anatase TiO2 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2008, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: art. no. 125207 Peng, HW; Li, JB; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/03/08 TITANIUM-DIOXIDE  ROOM-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  MODEL   First-principles study of transition metal impurities in Si 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201 Zhang ZZ; Partoens B; Chang K; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：61/7  |  提交时间：2010/03/08 SILICON