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解理面预处理方法对二次外延的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548
作者:  陈涌海;  徐波
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以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002
林郭强; 曾一平; 王晓亮; 刘宏新
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