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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimization of metamorphic ingaas quantum wells on gaas grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546 作者:  Wu Bing-Peng;  Wu Dong-Hai;  Ni Hai-Qiao;  Huang She-Song;  Zhan Feng 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of a novel periodic structure of sic/aln multilayers by low pressure chemical vapour deposition 期刊论文 Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1753-1755 作者:  Zhao Yong-Mei;  Sun Guo-Sheng;  Li Jia-Ye;  Liu Xing-Fang;  Wang Lei 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of gasb layers on gaas (001) substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084 作者:  Hao, Ruiting;  Xu, Yingqiang;  Zhou, Zhiqiang;  Ren, Zhengwei;  Ni, Haiqiao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 A comparison between aln films grown by mocvd using dimethylethylamine alane and trimethylaluminium as the aluminium precursors 期刊论文 Chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 516-518 作者:  Hu Wei-Guo;  Liu Xiang-Lin;  Zhang Pan-Feng;  Zhao Feng-Ai;  Jiao Chun-Mei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth of a novel periodic structure of SiC/AlN multilayers by low pressure chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 1753-1755 Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JY (Li Jia-Ye); Liu XF (Liu Xing-Fang); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Li JM (Li Jin-Min) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 SUBSTRATE   Growth of GaSb layers on GaAs (001) substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1080-1084 Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：92/0  |  提交时间：2010/03/29 INFRARED PHOTODIODES   Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546 Wu, BP; Wu, DH; Ni, HQ; Huang, SS; Zhan, F; Xiong, YH; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：44/1  |  提交时间：2010/03/08 LAYERS  SURFACTANT  SUBSTRATE  HEMT  SB