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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：51/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519 作者:  Wang H;  Wang YT;  Wang LL;  Yang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/03/29 X-ray diffraction   Investigation of Ge-Si atomic interdiffusion in Ge nano-dots multilayer structure by double crystal X-ray diffraction 期刊论文 journal of materials science & technology, 2007, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 301-303 Shi WH (Shi Wenhua); Zhao L (Zhao Lei); Luo LP (Luo Liping); Wang QM (Wang Qiming) 收藏  |  浏览/下载：107/0  |  提交时间：2010/03/29 X-ray diffraction