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波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101087005, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2007-12-12
张永刚; 顾溢; 田招兵
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一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
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