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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [3]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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Morphological defects and uniformity issues of 4h-sic homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)si faces
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
作者:
Sun, G. S.
;
Liu, X. F.
;
Gong, Q. C.
;
Wang, L.
;
Zhao, W. S.
收藏
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Homoepitaxial layers
Surface morphological defect
Optical microscopy
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
收藏
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
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