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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed inp 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Zhao, Youwen;  Dong, Zhiyuan;  Miao, Shanshan;  Deng, Aihong;  Yang, Jun 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Spatial distribution of deep level defects in crack-free algan grown on gan with a high-temperature aln interlayer 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 5 作者:  Sun, Q.;  Wang, H.;  Jiang, D. S.;  Jin, R. Q.;  Huang, Y. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Nonlinear optical response of nc-si-sio2 films studied with femtosecond four-wave mixing technique 期刊论文 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 2989-2992 作者:  Guo Heng-Qun;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Enhancement of photoluminescence intensity of gainnas/gaas quantum wells by two-step rapid thermal annealing 期刊论文 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582 作者:  Zhao Huan;  Xu Ying-Qiang;  Ni Hai-Qiao;  Han Qin;  Wu Rong-Han 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Measurement of threading dislocation densities in gan by wet chemical etching 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235 作者:  Chen, J.;  Wang, J. F.;  Wang, H.;  Zhu, J. J.;  Zhang, S. M. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type gan 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 The role of sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength gainnas/gaas quantum well with high indium content 期刊论文 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 作者:  Wu, DH;  Niu, ZC;  Zhang, SY;  Ni, HQ;  He, ZH 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wells  Nitrides  Semiconducting iii-v materials   Optical anisotropy and strain evolution of gaas surfaces at the onset of the formation of inas quantum dots 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 7, 页码: 4 作者:  Chen, YH;  Jin, P;  Ye, XL;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Post-growth and in situ annealing on gainnas(sb) and their application in 1.55 mu m lasers 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 279-282 作者:  Zhao, H;  Xu, YQ;  Ni, HQ;  Zhang, SY;  Han, Q 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Characteristic of rapid thermal annealing on gain(n)(sb)as/gaas quantum well grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 Journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 4 作者:  Zhao, H;  Xu, YQ;  Ni, HQ;  Zhang, SY;  Wu, DH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12