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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2006 [6]
学科主题
半导体物理 [4]
半导体材料 [2]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412
Song SF
;
Chen WD
;
Xu ZJ
;
Xu XR
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Er
Pr-implautation
deep level transient spectroscopy
N-TYPE GAN
DEFECTS
EPITAXY
TRAPS
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
期刊论文
advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22
Zhang S
;
Hu Z
;
Raniero L
;
Liao X
;
Ferreira I
;
Fortunato E
;
Vilarinho P
;
Perreira L
;
Martins R
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
3rd international materials symposium/12th meeting of the sociedad-portuguesa-da-materials (materials 2005/spm), aveiro, portugal, mar 20-23, 2005
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
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浏览/下载:209/71
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提交时间:2010/03/29
silicon carbide
high temperature annealing
thin film
SILICON
PECVD
Optical and structural properties of ZnO films grown on Si(100) substrates by MOCVD - art. no. 60290G
会议论文
20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005
Shen, WJ
;
Duan, Y
;
Wang, J
;
Wang, QY
;
Zeng, YP
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浏览/下载:95/18
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提交时间:2010/03/29
ZnO
MOCVD
thermal annealing
photoluminescence
x-ray diffraction
atomic force microscopy
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISMS
EPITAXY
CVD
SI
Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101
Yang XD
;
Xu ZY
;
Sun Z
;
Sun BQ
;
Ding L
;
Wang FZ
;
Ye ZZ
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-TYPE ZNO
OPTICAL-PROPERTIES
EXCITON FORMATION
PHOTOLUMINESCENCE
FILMS
SPECTROSCOPY
DYNAMICS
IMPURITY
ENERGY
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