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Absorbing layers for reduced spontaneous emission effects in an integrated photodiode 专利
专利号: WO2006074011A3, 申请日期: 2006-07-13, 公开日期: 2006-07-13
作者:  GUENTER, JAMES, K.;  TATUM, JIMMY, A.;  BIARD, JAMES, R.
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LOW TEMPERATURE GROWN LAYERS WITH MIGRATION ENHANCED EPITAXY ADJACENT TO AN InGaAsN(Sb) BASED ACTIVE REGION 专利
专利号: WO2006026610A3, 申请日期: 2006-07-06, 公开日期: 2006-07-06
作者:  JOHNSON RALPH
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