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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利 专利号: CN1870368A, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2006-11-29 作者:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP3875799B2, 申请日期: 2006-11-02, 公开日期: 2007-01-31 作者:  内藤 由美;  岡田 知;  藤本 毅 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb 专利 专利号: US7085298, 申请日期: 2006-08-01, 公开日期: 2006-08-01 作者:  KIM, JIN K. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb 专利 专利号: US7085298, 申请日期: 2006-08-01, 公开日期: 2006-08-01 作者:  KIM, JIN K. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same 专利 专利号: EP1039596B1, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31 作者:  KURAMACHI, TERUHIKO, C/O FUJI PHOTO FILM CO., LTD. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 一种含隧道结的垂直腔型光电子器件 专利 专利号: CN1780004A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31 作者:  吴惠桢;  黄占超;  劳燕锋;  刘成;  齐鸣 收藏  |  浏览/下载：143/0  |  提交时间：2020/01/18 Fabrication method of an epilayer structure InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator with high phase modulation efficiency 专利 专利号: US7037739, 申请日期: 2006-05-02, 公开日期: 2006-05-02 作者:  BYUN, YOUNG TAE;  PARK, HWA SUN;  LEE, SEOK;  WOO, DEOK HA;  YI, JONG CHANG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Method and structure for deep well structures for long wavelength active regions 专利 专利号: US20060083278A1, 申请日期: 2006-04-20, 公开日期: 2006-04-20 作者:  TAN, MICHAEL R. T.;  TANDON, ASHISH;  BOUR, DAVID P. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子およびその製造方法 专利 专利号: JP3788831B2, 申请日期: 2006-04-07, 公开日期: 2006-06-21 作者:  佐藤 俊一 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/26 Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser device and production method therefor 专利 专利号: US7016391, 申请日期: 2006-03-21, 公开日期: 2006-03-21 作者:  TAKAHASHI, KOJI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24