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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [5]
学科主题
半导体物理 [5]
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发表日期:2006
学科主题:半导体物理
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The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
3rd international conference on materials for advanced technologies/9th international conference on advanced materials, singapore, singapore, jul 03-08, 2005
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:110/24
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提交时间:2010/03/29
molecular beam epitaxy
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:81/0
  |  
提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Post-growth and in situ annealing on GaInNAs(Sb) and their application in 1.55 mu m lasers
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 279-282
作者:
Xu YQ
;
Yang XH
收藏
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
QUANTUM-WELLS
ORIGIN
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