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浏览/检索结果: 共51条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文 原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619 作者:  赵强 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5216-5220 作者:  潘教青;  王圩;  朱洪亮 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23 单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性 期刊论文 物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 4, 页码: 2044-2048 周文政; 姚炜; 朱博; 仇志军; 郭少令; 林铁; 崔利杰; 桂永胜; 褚君浩 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/04/11 characterization  point defects  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  semiconducting indium compounds  semiconducting ternary compounds  1.55 MU-M  QUANTUM-WELLS  TEMPERATURE  GAAS   Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, CM; Wang, XL; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：119/30  |  提交时间：2010/03/29 HIGH BREAKDOWN VOLTAGE  MOBILITY TRANSISTORS  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  GANHEMTS   Heterojunction solar cells with n-type nanocrystalline silicon emitters on p-type c-Si wafers 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1972-1975 Xu Y (Xu Ying); Hu ZH (Hu Zhihua); Diao HW (Diao Hongwei); Cai Y (Cai Yi); Zhang SB (Zhang Shibin); Zeng XB (Zeng Xiangbo); Hao HY (Hao Huiying); Liao XB (Liao Xianbo); Fortunato E (Fortunato Elvira); Martins R (Martins Rodrigo) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon  solar cells  heterojunctions  nanocrystals  CRYSTALLINE SILICON  LAYER   Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD 期刊论文 功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66 作者:  Wang Jun;  Wang Jun 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Low-Microwave Loss Coplanar Waveguides Fabricated on High-Resistivity Silicon Substrate 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 1-4 作者:  Yang Hua;  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1759-1762 作者:  魏学成 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 337-340 Zhou HY; Qu SC; Wang ZG; Liang LY; Cheng BC; Liu JP; Peng WQ 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/04/11 anodic alumina films