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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  INTRINSIC BISTABILITY  CIRCUIT