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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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发表日期:2006
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells
会议论文
21st international conference on amorphous and nanocrystalline semiconductors, lisbon, portugal, sep 04-09, 2005
Liao, XB (Liao, Xianbo)
;
Du, WH (Du, Wenhui)
;
Yang, XS (Yang, Xiesen)
;
Povolny, H (Povolny, Henry)
;
Xiang, XB (Xiang, Xianbi)
;
Deng, XM (Deng, Xunming)
;
Sun, K (Sun, Kai)
收藏
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浏览/下载:267/77
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提交时间:2010/03/29
amorphous semiconductors
Nanostructure in the p-layer and its impacts on amorphous silicon solar cells
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2006, 卷号: 352, 期号: 9-20, 页码: 1841-1846
Liao XB (Liao Xianbo)
;
Du WH (Du Wenhui)
;
Yang XS (Yang Xiesen)
;
Povolny H (Povolny Henry)
;
Xiang XB (Xiang Xianbi)
;
Deng XM (Deng Xunming)
;
Sun K (Sun Kai)
收藏
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浏览/下载:181/0
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提交时间:2010/04/11
amorphous semiconductors
solar cells
microstructure
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
MICROCRYSTALLINE SILICON
DISCONTINUITIES
FILMS
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:167/71
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提交时间:2010/03/29
ALN
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