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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI   Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS   Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1906-1910 作者:  Cao Yulian;  Chen Lianghui;  Wu Xuming 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen); Wang YT (Wang Yu-Tian) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 InP  Si  X-ray double crystalline diffraction  thermal strain  wafer bonding  OPTOELECTRONIC DEVICES  EPITAXIAL OVERGROWTHS  TEMPERATURE  INTERFACE  STRESSES  VCSELS  SURFACES  ENERGY