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科研机构
上海微系统与信息技术... [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2005 [7]
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发表日期:2005
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Microstructure and electrical properties of Al2O3-ZrO2 composite films for gate dielectric applications
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2005, 卷号: 476, 期号: 2, 页码: 312-316
Zhu, M
;
Chen, P
;
Fu, RKY
;
Liu, WL
;
Lin, CL
;
Chu, PK
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-STABILITY
ZRO2 FILMS
SILICON
LAYERS
MECHANISM
SI(100)
SI(001)
SI
Comparison of thermal characteristics of antimonide and phosphide MQW lasers
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 563-567
Zhu, C
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, AZ
;
Zheng, YL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
QUANTUM-CASCADE LASERS
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
SEMICONDUCTOR-LASER
ROOM-TEMPERATURE
MU-M
DIODES
MBE
GSMBE growth and characterizations of AlInP/InGaAsP strain-compensated multiple-layer heterostructures
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 255-262
Huang, ZC
;
Wu, HZ
;
Lao, YF
;
Cao, M
;
Liu, C
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
GAS-SOURCE MBE
MISFIT DISLOCATIONS
LASERS
INP
DEFECTS
Optical and electrical properties of p-type zinc oxide thin films synthesized by ion beam assisted deposition
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2005, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 203-206
Yan, Z
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Wan, Q
;
Zhang, FM
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ZNO FILMS
TEMPERATURE
Characteristics of sandwich-structured Al2O3/HfO2/Al2O3 gate dielectric films on ultra-thin silicon-on-insulator substrates
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2005, 卷号: 252, 期号: 5, 页码: 1876-1882
Cheng, XH
;
Song, ZR
;
Jiang, J
;
Yu, YH
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
ATOMIC LAYER DEPOSITION
CAPACITORS
AL2O3
SI
Annealing effect on electrical properties of high-k MgZnO film on silicon
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: L15-L19
Liang, J
;
Wu, HZ
;
Chen, NB
;
Xu, TN
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GATE DIELECTRICS
THIN-FILMS
ZRO2
SI
TEMPERATURE
TRANSISTORS
SI(100)
Self-organized Ge nanocrystals embedded in HfAlO fabricated by pulsed-laser deposition and application to floating gate memory
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 1, 页码: 13110-13110
Liu, WL
;
Lee, PF
;
Dai, JY
;
Wang, J
;
Chan, HLW
;
Choy, CL
;
Song, ZT
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
DEVICE
HFO2
DIELECTRICS
OXIDATION
SIO2
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