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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 11, 页码: 2929-2932 Xu, C; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  ION-BEAM METHOD  ELECTRICAL-PROPERTIES  OPTICAL-PROPERTIES  CELL-ELEMENT  RESISTANCE  IMPLANTATION  TRANSITION  ALLOYS  MEDIA