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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Green-light-emitting ZnSe nanowires fabricated via vapor phase growth 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 3330-3332 Xiang B; Zhang HZ; Li GH; Yang FH; Su FH; Wang RM; Xu J; Lu GW; Sun XC; Zhao Q; Yu DP 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2010/08/12 PHYSICAL EVAPORATION  QUANTUM WIRES  DOTS  DEPOSITION   Microstructure characterization of transition films from amorphous to nanocrocrystalline silicon 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 27-32 Xu YY; Liao XB; Kong GL; Zeng XB; Hu ZH; Diao HW; Zhang SB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  growth from vapor  chemical vapor deposition processes  semiconducting silicon  A-SI-H  MICROCRYSTALLINE SILICON  EXCITATION-FREQUENCY  HYDROGENATED SILICON  DEPOSITION  PLASMA  TEMPERATURE   Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  selective area growth  gallium nitride  CUBIC GAN  OVERGROWN GAN  DEPOSITION  GAAS(100)   Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 期刊论文 thin solid films, 2003, 卷号: 430, 期号: 1-2, 页码: 50-53 Zhang Q; Zhu M; Wang L; Liu E 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 catalyzer  hot-wire chemical vapor deposition  simulation  AMORPHOUS-SILICON  DEPOSITION   Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 会议论文 2nd international conference on cat-cvd (hot-wire cvd) process, denver, colorado, sep 10-13, 2002 Zhang Q; Zhu M; Wang L; Liu E 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 AMORPHOUS-SILICON  DEPOSITION   Violet/blue photoluminescence from CeO2 thin film 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1198-1200 Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：255/3  |  提交时间：2010/08/12 cerium dioxide thin film  PL  violet/blue  CERIUM OXIDE  DEPOSITION  INTERFACE  EMISSION  SILICON  GROWTH   Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260 Tan LW; Wang QY; Wang J; Yu YH; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 heteroepitaxial growth  gamma-Al2O3  silicon  silicon on insulator  FILMS  SI  DEPOSITION  AL2O3   X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Shen XM; Wang YT; Zheng XH; Zhang BS; Chen J; Feng G; Yang H 收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2010/08/12 buffer layers  x-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  VAPOR-PHASE EPITAXY  NUCLEATION LAYERS  CUBIC GAN  (001)GAAS SUBSTRATE  STRAIN RELAXATION  TEMPERATURE  DEPOSITION  QUALITY  DIODES