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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Hydrogen passivation of multi-crystalline silicon solar cells 期刊论文 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 112-115 Hu ZH; Liao XB; Liu ZM; Xia CF; Chen TJ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 multi-crystalline silicon solar cells  plasma  hydrogen passivation  MULTICRYSTALLINE  SURFACE  FILMS   Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique 期刊论文 science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 437-440 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：198/6  |  提交时间：2010/08/12 GaN  x-ray diffraction  thickness  SAPPHIRE  GROWTH  FILMS   Interlayer segregation in magnetic multilayers and its influence on exchange coupling 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 1, 页码: 94-96 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Jiang HW; Lai WY; Chai CL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SPIN VALVES  GIANT MAGNETORESISTANCE  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  FILMS  BILAYERS  LAYERS  BIAS  INTERFACES  BEHAVIOR  MODEL   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Stress and its effect on optical properties of GaN epilayers grown on Si(111), 6H-SiC(0001), and c-plane sapphire 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 677-679 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：1038/2  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHONON DEFORMATION POTENTIALS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN-SCATTERING  ALPHA-GAN  ALN  LAYERS  STRAIN  WURTZITE  FILMS   Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 206-208 Feng ZH; Yang H; Zheng XH; Fu Y; Sun YP; Shen XM; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  FILMS  GAAS