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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  SHAPE TRANSITION  PHOTOLUMINESCENCE  FABRICATION  DEPOSITION  WIRES  SITU   Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128 Zheng XH; Feng ZH; Wang YT; Zheng WL; Jia QJ; Jiang XM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2010/08/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AIN BUFFER LAYER  GROWN GAN  SAPPHIRE SUBSTRATE  QUALITY  FILMS  BLUE  TEMPERATURE  EVOLUTION