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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE