QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 期刊论文 chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 polycrystalline silicon film  rapid thermal processing  microstructure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  PRESSURE  TRANSISTORS  CRYSTALLIZATION  GROWTH   ECR plasma in growth of cubic GaN by low pressure MOCVD 期刊论文 plasma chemistry and plasma processing, 2002, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 159-174 Gu B; Xu Y; Qin FW; Wang SS; Sui Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/7  |  提交时间：2010/08/12 ECR plasma  cubic GaN  low pressure MOCVD  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CYCLOTRON-RESONANCE PLASMA  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  GAAS  DIMETHYLHYDRAZINE   Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391 Xu SJ; Zheng LX; Cheung SH; Xie MH; Tong SY; Yang H 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  BINDING-ENERGY  PHOTOLUMINESCENCE  PRESSURE  ELECTRON  GAAS  ALN   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931 Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/7  |  提交时间：2010/08/12 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion  ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMIINSULATING INP  PHOTO-LUMINESCENCE  INDIUM-PHOSPHIDE  UNDOPED INP  PHOTOLUMINESCENCE  CRYSTALS  PRESSURE