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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172 Xie MH; Cheung SH; Zheng LX; Tong SY; Zhang BS; Yang H 收藏  |  浏览/下载：140/42  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY