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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Liu S; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：106/6  |  提交时间：2010/08/12 four-circle diffraction  GaN  phase content  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  GROWTH  STABILITY  RATIO   InAs/GaAs single-electron quantum dot qubit 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6151-6155 Li SS; Xia JB; Liu JL; Yang FH; Niu ZC; Feng SL; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：274/7  |  提交时间：2010/08/12 PHASE BREAKING  LOGIC GATES  COMPUTATION  COMPUTERS  STATE   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION