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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
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发表日期:2001
学科主题:半导体物理
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Thermodynamic model of hydrogen-induced silicon surface layer cleavage
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 11 part.1., 页码: 6551-6553
作者:
Han WH
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浏览/下载:108/16
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提交时间:2010/08/12
INDUCED EXFOLIATION
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
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浏览/下载:127/15
  |  
提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324
Zhang MH
;
Guo LW
;
Li HW
;
Li W
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Zhou JM
;
Liu BL
;
Xu ZY
;
Zhang YH
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:96/7
  |  
提交时间:2010/08/12
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SPATIAL LIGHT MODULATORS
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