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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：112/13  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting manganese silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  THIN-FILMS   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER   Resonant Raman scattering of a-SiNx : H 期刊论文 materials letters, 2001, 卷号: 47, 期号: 1-2, 页码: 50-54 Wang Y; Yue RF; Han HX; Liao XB; Wang YQ; Diao HW; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 a-Sin(x): H films  resonant Raman scattering  quantum confinement model  POLYCRYSTALLINE DIAMOND FILMS  AMORPHOUS-SILICON  HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE  SPECTROSCOPY  ALLOYS