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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of phosphine flow rate on si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Si growth rate  P doping  Ph3 flow rate  P segregation  Gsmbe   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE