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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2000 [3]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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发表日期:2000
专题:半导体研究所
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Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
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提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
Theoretical analysis and experimental study of Fourier transformation of Franz-Keldysh oscillations in GaAs
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 11, 页码: 6429-6435
作者:
Jin P
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提交时间:2010/08/12
DELTA-DOPED GAAS
UNDOPED GAAS
PHOTOREFLECTANCE
FIELD
SPECTROSCOPY
MODULATION
ELECTROREFLECTANCE
SURFACE
Fourier transformation study of the Franz-Keldysh Oscillation in SIN+ GaAs structures
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 1821-1828
作者:
Jin P
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
Franz-Keldysh Oscillation
Fourier transformation
GaAs
DELTA-DOPED GAAS
PHOTOREFLECTANCE
FIELD
ELECTROREFLECTANCE
SPECTROSCOPY
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