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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文 9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY   Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387 Wang HL; Feng SL; Zhu HJ; Ning D; Chen F 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs/GaAs quantum dots  self-assembled structure  DLTS  PL  band offset  ENERGY-LEVELS  CARRIER RELAXATION  SPECTROSCOPY