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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Raman study on residual strains in thin 3C-SiC epitaxial layers grown on Si(001) 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Zhu JJ; Liu SY; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 Raman spectrum  thin film  chemical vapor deposition  SCATTERING  SI