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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Steady and transient optical properties of cubic InGaN epilayers 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 11-14 Xu ZY; Liu BL; Li SF; Yang H; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaN  exciton localization  time-resolved photoluminescence  GAN   Photoluminescence study of multilayer In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dot at various temperature 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 19-23 Chen Y; Zhang W; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  photoluminescence  wetting layer  EXCITON LOCALIZATION  WELLS   The investigations on semi-insulating GaAs by surface photovoltaic spectroscopy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 15-18 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 surface photovoltaic spectroscopy  SI-GaAs  nondetructive technique  UNDOPED SEMIINSULATING GAAS