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浏览/检索结果: 共41条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of nanometer silicon prepared by silicon ion implanted into sio2 layers 期刊论文 Journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 417-422 作者:  Ding, K;  Li, GH;  Han, HX;  Wang, ZP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Nc-si  Ion implantation  Thermal annealing  Photoluminescence  Raman scattering   Arsenic clusters on the surface of vertically aligned inas islands on gaas substrate by annealing 期刊论文 Applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 19, 页码: 2951-2953 作者:  Fan, TW;  Mo, QW;  Lin, F;  Wang, ZG;  Zhang, W 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of si overgrowth on the structural and luminescence properties of ge islands on si(100) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153 作者:  Liu, JP;  Wang, JZ;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled inas and in0.9al0.1as quantum dots on (001)inp substrates grown by molecular beam epitaxy (mbe) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 204, 期号: 1-2, 页码: 24-28 作者:  Sun, ZZ;  Liu, FQ;  Ding, D;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled quantum dots  In0.9al0.1as/inalas/inp  Molecular beam epitaxy   Role of surface defect states in visible luminescence from oxidized hydrogenated amorphous si hydrogenated amorphous ge multilayers 期刊论文 Applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 25, 页码: 3773-3775 作者:  Xu, J;  He, ZH;  Chen, KJ;  Huang, XF 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Si-based optoelectronic devices and their attractive applications 期刊论文 Czechoslovak journal of physics, 1999, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 837-848 作者:  Wang, QM;  Yang, QQ;  Zhu, YQ;  Si, JJ;  Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth mode and strain relaxation of inas on inp (111)a grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 10, 页码: 1388-1390 作者:  Li, HX;  Daniels-Race, T;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Stimulated luminescence and photo-gated hole burning in bafcl0.8br0.2 : sm2+,sm3+ phosphors 期刊论文 Journal of physics and chemistry of solids, 1999, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 371-378 作者:  Chen, W;  Su, MZ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Colour centres  Luminescence   Effect of growth interruption on the optical properties of inas/gaas quantum dots 期刊论文 Solid state communications, 1999, 卷号: 109, 期号: 10, 页码: 649-653 作者:  Lu, ZD;  Xu, JZ;  Zheng, BZ;  Xu, ZY;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Optical properties  Luminescence   Fabrication of luminescent ge nanocrystals started from unlayered hydrogenated amorphous sige films or hydrogenated amorphous si hydrogenated amorphous ge multilayers 期刊论文 Journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1631-1637 作者:  Xu, J;  He, ZH;  Chen, KJ;  Huang, XF;  Feng, D 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12