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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic structure of quantum spheres with wurtzite structure 期刊论文 Physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 16, 页码: 11540-11544 作者:  Xia, JB;  Li, JB 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 The effects of carbonized buffer layer on the growth of sic on si 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 564-567 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Zhang, FF;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Si  Sic  Carbonization  Rheed  Single crystal epilayer   Substrate surface atomic structure influence on the growth of inalas quantum dots 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Zhou, W;  Zhu, ZM;  Liu, FQ;  Xu, B;  Xu, HZ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Atomic-terminated surface  Quantum dots   Structural characterization of ingaas/gaas quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 作者:  Zhuang, QD;  Li, JM;  Zeng, YP;  Pan, L;  Li, HX 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingaas/gaas  Quantum dots  Superlattice  Structure  Tem  X-ray   Inas/ln(0.52)al(0.48)as quantum wire structure with the specific layer-ordering orientation on inp(001) 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 95-98 作者:  Wu, J;  Xu, B;  Li, HX;  Mo, QW;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum wires  Layer-order-orientation   Quantum confinement of phonon modes in gaas quantum dots 期刊论文 Solid state communications, 1999, 卷号: 113, 期号: 5, 页码: 273-277 作者:  Ren, SF;  Gu, ZQ;  Lu, DY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Semiconductors  Crystal structure and symmetry  Phonons   Comparative Raman scattering studies of GaAs/AlxGa1-xAs and AlxGa1-xAs/AlAs superlattices 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 189-194 Zhang W; Han HX; Chen Y; Li GH; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 superlattices  LO modes  Raman scattering  OPTICAL PHONONS  CONFINED LO  GAAS-ALAS SUPERLATTICES   Ultrafast low-temperature grown AlGaAs/GaAs photorefractive quantum wells using point defects as capture centers 期刊论文 applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 10, 页码: 1366-1368 Zhang MH; Huang Q; Zhang YF; Zhou JM; Li Q; Xu ZY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  LAYERS  DEPENDENCE  LIFETIME   In composition dependence of lateral ordering in InGaAs quantum dots grown on (311)B GaAs substrates 期刊论文 applied surface science, 1999, 卷号: 141, 期号: 1-2, 页码: 101-106 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot array  InxGa1-xAs self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (311)B  high-index  surface structure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  PHASE EPITAXY  INAS  SURFACES  MICROSTRUCTURES  GAAS(100)  ALIGNMENT  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541 Yang GW; Hwu RJ; Xu ZT; Ma XY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum-well lasers  semiconductor diodes  semiconductor epitaxial layers  semiconductor lasers  semiconductor materials  NM DIODE-LASERS  WAVE-GUIDE  AMPLIFIER  FRONT-FACET POWER