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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:1999
学科主题:半导体材料
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The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
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提交时间:2010/11/15
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SI(001) SURFACE
BEAM
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2010/08/12
Si
SiC
carbonization
RHEED
single crystal epilayer
HYDROCARBON RADICALS
SI(001) SURFACE
BEAM
HETEROEPITAXIAL GROWTH
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