×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:1999
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 530-533
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/08/12
dislocation
stacking faults
vacancy
strain relaxation
silicon
germanium
SI(100)
LAYERS
FILMS
THREADING DISLOCATION
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
THREADING DISLOCATION
SI(100)
LAYERS
FILMS
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Er-doped silica glass
sol-gel process
photoluminescence
PLANAR WAVE-GUIDES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CRYSTAL SILICON
IMPLANTED SI
LUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
FABRICATION
IMPURITIES
FILMS
IONS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace