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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1999 [2]
学科主题
半导体化学 [2]
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发表日期:1999
学科主题:半导体化学
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The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6
期刊论文
applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195
Wang YS
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang FF
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
epitaxial growth
RHEED
Raman spectrum
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SILICON
SURFACES
FILMS
LAYER
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Semi-continuous synthesis of single-walled carbon nanotubes by a hydrogen arc discharge method
期刊论文
carbon, 1999, 卷号: 37, 期号: 11, 页码: 1865-1868
作者:
Tan PH
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
carbon nanotubes
LARGE-SCALE
DIAMETER
RAMAN-SCATTERING
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