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科研机构
西安光学精密机械研究... [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
1998 [5]
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发表日期:1998
内容类型:专利
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半導体素子の保護膜形成方法
专利
专利号: JP2846086B2, 申请日期: 1998-10-30, 公开日期: 1999-01-13
作者:
長谷川 光利
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提交时间:2019/12/26
Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device comprising a mesa
专利
专利号: EP0870352A1, 申请日期: 1998-10-14, 公开日期: 1998-10-14
作者:
POMP, HENDRIK, GERARD
;
VAN BAKEL, BERNARDUS, ALBERTUS, HENRICUS
;
BOKHORST, JOHANNA, MARIA
;
WEEGELS, LEO, MARIA
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/01/18
Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor
专利
专利号: US5821569, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13
作者:
DUTTA, ACHYUT KUMAR
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP2819556B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
作者:
山崎 康二
收藏
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提交时间:2020/01/18
半導体光集積素子とその製造方法
专利
专利号: JP2771276B2, 申请日期: 1998-04-17, 公开日期: 1998-07-02
作者:
村田 茂
;
山口 昌幸
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提交时间:2019/12/26
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