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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Structural identification of a cubic phase in hexagonal GaN films grown on sapphire by gas-source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 183, 期号: 1-2, 页码: 31-37 Li XB; Sun DZ; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 SPATIALLY-RESOLVED CATHODOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Rapid thermal annealing processing of GaN epilayer on sapphire(0 0 0 1) 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 298-301 Li XB; Sun DZ; Kong MY; Yoon SF 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL-GROWTH  LAYERS  GAAS  FILMS   Dependence of photoluminescence induced by carbon contamination on GeSi structure 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 187, 期号: 2, 页码: 197-202 Guo LW; Shi JJ; Cheng WQ; Li YK; Huang Q; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 SILICON  GROWTH  SUPERLATTICES   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   Growth and characterization of InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor structures towards high channel conductivity 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 3, 页码: 309-314 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 PHEMT  high channel conductivity  MBE  HETEROSTRUCTURES  GAS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Structure, fluorescence and stability of CdS nanoparticles prepared in air 期刊论文 journal of materials science & technology, 1998, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 389-394 Chen W; Lin ZJ; Wang ZG; Xu Y; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTOR MICROCRYSTALS  QUANTUM CONFINEMENT  OPTICAL-PROPERTIES  NANOCRYSTALS  PHOTOCHEMISTRY  CLUSTERS  CRYSTALLITES  PARTICLES  EXCITONS  COLLOIDS   Growth and characterization of GaN on LiGaO2 会议论文 9th international conference on metalorganic vpour phase epitaxy (icmovpe-ix), la jolla, california, may 31-jun 04, 1998 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 DIODES