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| Surface emission laser and method of manufacturing the same 专利
专利号: US5703898, 申请日期: 1997-12-30, 公开日期: 1997-12-30
作者: OGURA, ICHIRO
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| ヘテロ構造レーザ 专利
专利号: JP1997331118A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: ジェームス ネルソン バイラージェオン; ケー-ユン チェン; アルフレッド イー チョー
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997331101A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 樋江井 太
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997331114A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 樋江井 太; 玉村 好司
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997331082A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 中野 一志; 木下 優子; 野口 裕泰; 奥山 浩之
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| 自励発振型半導体レーザ 专利
专利号: JP1997331115A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 内田 史朗
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| 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利
专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者: 大場 康夫; 菅原 秀人
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Buried heterostructure lasers using mocvd growth over patterned substrates 专利
专利号: CA2084820C, 申请日期: 1997-12-09, 公开日期: 1993-07-25
作者: BERGER PAUL RAYMOND; DUTTA NILOY KUMAR; HOBSON WILLIAM SCOTT; LOPATA JOHN
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| 半導体発光素子の製造方法および半導体結晶成長装置 专利
专利号: JP1997312445A, 申请日期: 1997-12-02, 公开日期: 1997-12-02
作者: 齋藤 徹; 辻村 歩; 佐々井 洋一
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| 半導体素子の形成方法 专利
专利号: JP1997312446A, 申请日期: 1997-12-02, 公开日期: 1997-12-02
作者: 成井 啓修
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