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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1997    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor optical modulation device 专利 专利号: EP0726483A3, 申请日期: 1997-08-27, 公开日期: 1997-08-27 作者:  TSUJI, MASAYOSHI, C/O NEC CORPORATION 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor optical amplifying media with reduced self-focusing 专利 专利号: US5657157, 申请日期: 1997-08-12, 公开日期: 1997-08-12 作者:  LANG, ROBERT J.;  OSINSKI, JULIAN S.;  WELCH, DAVID F. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 AlGaInP系半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2682906B2, 申请日期: 1997-08-08, 公开日期: 1997-11-26 作者:  菅 康夫;  高橋 向星;  細田 昌宏;  角田 篤勇;  谷 健太郎 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2656482B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24 作者:  吉沢 みすず;  山下 茂雄;  大石 昭夫;  梶村 俊 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2645055B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-25 作者:  粒来 保彦;  大場 康夫 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2642404B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20 作者:  粒来 保彦;  国分 義弘 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18