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外部共振器型レーザ装置 专利
专利号: JP1993206579A, 申请日期: 1993-08-13, 公开日期: 1993-08-13
作者:  西村 三千代
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半導体レ-ザ素子 专利
专利号: JP1993167194A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02
作者:  木下 順一;  松山 隆之
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1993167143A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02
作者:  今井 浩文;  山口 哲
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半導体光増幅素子およびその使用法 专利
专利号: JP1993136455A, 申请日期: 1993-06-01, 公开日期: 1993-06-01
作者:  新田 淳
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP1993095161A, 申请日期: 1993-04-16, 公开日期: 1993-04-16
作者:  大塚 信之;  松井 康;  堀 義和
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半導体光装置 专利
专利号: JP1993053034A, 申请日期: 1993-03-05, 公开日期: 1993-03-05
作者:  脇田 紘一;  小高 勇
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