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| 外部共振器型レーザ装置 专利 专利号: JP1993206579A, 申请日期: 1993-08-13, 公开日期: 1993-08-13 作者: 西村 三千代
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| 半導体レ-ザ素子 专利 专利号: JP1993167194A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02 作者: 木下 順一; 松山 隆之
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| 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP1993167143A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02 作者: 今井 浩文; 山口 哲
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| 半導体光増幅素子およびその使用法 专利 专利号: JP1993136455A, 申请日期: 1993-06-01, 公开日期: 1993-06-01 作者: 新田 淳
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利 专利号: JP1993095161A, 申请日期: 1993-04-16, 公开日期: 1993-04-16 作者: 大塚 信之; 松井 康; 堀 義和
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| 半導体光装置 专利 专利号: JP1993053034A, 申请日期: 1993-03-05, 公开日期: 1993-03-05 作者: 脇田 紘一; 小高 勇
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