RAM-CII再入攻角对周围流场电子密度的影响

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	RAM-CII再入攻角对周围流场电子密度的影响
	蒋建政; 万田; 张羽淮; 樊菁
	2014
会议名称	第十三届全国物理力学学术会议
会议日期	2014-10-17
会议地点	中国湖南湘潭
关键词	电子密度 RAM-CII 飞行试验试验测量电子数密度背风面迎风面高度范围量仪滚转
其他题名	中国科学院力学研究所高温气体动力学国家重点实验室;
中文摘要	再入过程中的电子数密度,在一定高度范围,随着再入高度的降低而增大。给定通讯频率,通讯中断的始发高度,是实际关心的问题。为了弄清通讯中断机理,美国在上世纪60年代,历时10年,开展一系列飞行试验[1,2],RAM C-II是其中的一次。根据文献[2]报道,RAM C-II试验测量得到的电子密度,随时间波动,最大值与最小值相差约3倍(图1)。这种差别被认为缘自飞行攻角的影响,因为在飞行过程中,飞行器有滚转,电子密度测量仪有时处于迎风面,有时处于背风面。虽然有许多研究者对RAM C-II的电子密度进行了计算,但几乎都
会议录	第十三届全国物理力学学术会议论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/52114]
专题	力学研究所_高温气体动力学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋建政,万田,张羽淮,等. RAM-CII再入攻角对周围流场电子密度的影响[C]. 见:第十三届全国物理力学学术会议. 中国湖南湘潭. 2014-10-17.