Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes | |
Zhu, SX ; Wang, JX ; Yan, JC ; Zhang, Y ; Pei, YR ; Si, Z ; Yang, H ; Zhao, LX ; Liu, Z ; Li, JM | |
刊名 | ecs solid state letters |
2014 | |
卷号 | 3期号:3页码:r11-r13 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2015-05-11 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26451] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu, SX,Wang, JX,Yan, JC,et al. Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes[J]. ecs solid state letters,2014,3(3):r11-r13. |
APA | Zhu, SX.,Wang, JX.,Yan, JC.,Zhang, Y.,Pei, YR.,...&Li, JM.(2014).Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes.ecs solid state letters,3(3),r11-r13. |
MLA | Zhu, SX,et al."Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes".ecs solid state letters 3.3(2014):r11-r13. |
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