| Germanium epitaxy on silicon | |
| Ye, H ; Yu, JZ | |
| 刊名 | science and technology of advanced materials
 |
| 2014 | |
| 卷号 | 15期号:2页码:024601 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2015-04-02 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26364]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ye, H,Yu, JZ. Germanium epitaxy on silicon[J]. science and technology of advanced materials,2014,15(2):024601. |
| APA | Ye, H,&Yu, JZ.(2014).Germanium epitaxy on silicon.science and technology of advanced materials,15(2),024601. |
| MLA | Ye, H,et al."Germanium epitaxy on silicon".science and technology of advanced materials 15.2(2014):024601. |
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