Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices | |
Cao, YF ; Cai, KM ; Li, LJ ; Lu, WJ ; Sun, YP ; Wang, KY | |
刊名 | chinese physics letters |
2014 | |
卷号 | 31期号:7页码:077203 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2015-03-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26267] |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao, YF,Cai, KM,Li, LJ,et al. Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices[J]. chinese physics letters,2014,31(7):077203. |
APA | Cao, YF,Cai, KM,Li, LJ,Lu, WJ,Sun, YP,&Wang, KY.(2014).Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices.chinese physics letters,31(7),077203. |
MLA | Cao, YF,et al."Transport and Capacitance Properties of Charge Density Wave in Few-Layer 2H-TaS2 Devices".chinese physics letters 31.7(2014):077203. |
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