诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究

	诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究
	陈善强; 师立勤
刊名	核电子学与探测技术
	2011
卷号	31 期号:2 页码:171
关键词	电荷分享节点隔离多位翻转
ISSN号	0258-0934
其他题名	Study on Charge Sharing and Multiple-Bit Upset
中文摘要	针对TSMC 0.18mum CMOS工艺分析了高能粒子入射漏区以及周围区域时NMOS管的电荷分享和电荷收集情况,并定量评估了节点隔离对电荷分享的影响. 研究结果表明器件周围的区域比漏区更容易诱发多位翻转,因为高能粒子在器件周围区域产生的电子-空穴对在扩散作用下更容易到达各相邻灵敏单元,进而诱发多位翻转;节点隔离可以抑制电荷在相邻灵敏单元间的扩散,能够有效降低电荷收集和多位翻转
英文摘要	It simulates charge sharing and charge collection between adjacent devices.Simulation results show that charge sharing is mainly affected by charge diffusion and areas between adjacent devices are more sensitive to MBU than drain area.Charge sharing and MBU can be mitigated by nodal separation
学科主题	空间环境
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:4171365
公开日期	2014-12-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nssc.ac.cn/handle/122/2904]
专题	国家空间科学中心_空间环境部
推荐引用方式 GB/T 7714	陈善强,师立勤. 诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究[J]. 核电子学与探测技术,2011,31(2):171.
APA	陈善强,&师立勤.(2011).诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究.核电子学与探测技术,31(2),171.
MLA	陈善强,et al."诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究".核电子学与探测技术 31.2(2011):171.