12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应

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	12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应
	王信; 陆妩; 郭旗; 吴雪; 席善斌; 邓伟; 崔江维; 张晋新
刊名	原子能科学技术
	2013
卷号	47 期号:12 页码:2355-2360
关键词	电离辐射数模转换器剂量率效应
ISSN号	10006931
其他题名	Total ionizing dose effect on 12-bit LC²MOS digital-to-analog converter
通讯作者	Wang, X.
中文摘要	为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性,选取12位LC~2MOS工艺的数模转换器作为研究对象,使用~(60)Co gamma射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究。试验结果表明,LC~2MOS工艺的数模转换器对辐射剂量率非常敏感, 高剂量率条件下的辐射损伤较低剂量率条件下的更为显著;不同偏置条件下,其辐射损伤程度也有很大不同,正常工作偏置下的数模转换器辐射损伤较非工作偏置的辐射损伤更为明显。
英文摘要	12-bit digital-to-analog converter (DAC) in LC²MOS technology was irradiated by ⁶⁰Co γ ray at high and low dose rates under two bias conditions to investigate total ionizing dose effect of the DAC. The results show that the DAC in LC²MOS technology is sensitive to dose rates, and radiation failure level is more significant at high dose rate compared to low dose rate. Under different bias conditions, the radiation failure levels are different, and the radiation damage under the operating bias condition is more severe.
收录类别	EI ; CSCD
CSCD记录号	CSCD:5024157
公开日期	2014-11-11
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/3670]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王信,陆妩,郭旗,等. 12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应[J]. 原子能科学技术,2013,47(12):2355-2360.
APA	王信.,陆妩.,郭旗.,吴雪.,席善斌.,...&张晋新.(2013).12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应.原子能科学技术,47(12),2355-2360.
MLA	王信,et al."12位LC~2MOS工艺数模转换器总剂量电离辐射效应".原子能科学技术 47.12(2013):2355-2360.