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	一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
	王建霞 ; 李志伟 ; 赵桂娟 ; 桑玲 ; 刘长波 ; 魏鸿源 ; 焦春美 ; 杨少延 ; 刘祥林 ; 朱勤生 ; 王占国
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
公开日期	2012-12-26
申请日期	2012-09-05
专利申请号	CN201210325765.3
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25328]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王建霞,李志伟,赵桂娟,等. 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法.

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