| 小多注速调管覆膜阴极的制备方法 | |
| 刘燕文 ; 田宏 | |
| 2010-12-24 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 一种小多注速调管覆膜阴极的制备方法，在钼筒底面没有孔的表面上形成抑制发射的铪膜1，在已覆有抑制发射的铪膜1的表面上涂敷一层对发射无影响的有机物，将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面洞内，然后进行压制，在阴极表面形成增强发射的锇膜2。多注速调管具有宽频带，高增益、高效率、低工作电压、重量轻和体积小等一系列优点，因此它是现代雷达系统发射机末级功率放大器中最有竞争力的器件之一。 |
| 公开日期 | 2002-06-19 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2000-11-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN00132779.8 |
| 专利代理 | 戎志敏 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.65.12/handle/80137/5199]  |
| 专题 | 电子学研究所_传感技术国家重点实验室（北方基地）_传感技术国家重点实验室（北方基地）_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘燕文,田宏 . 小多注速调管覆膜阴极的制备方法. 2010-12-24. |
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